致力于开发高介电常数、金属化物等客户制程所需的薄膜材料，存储器MIM等薄膜材料；
扩展性开发低温氧化硅、氮化硅，以及其他薄膜材料满足各类客户需求；
如下图所示，Al₂O₃工艺和高k栅介质HfO₂工艺可达~100%的台阶覆盖率要求，并可完成设计叠层结构；
如下图所示，可实现单腔由单元到多元薄膜材料厚度及组成的精确工艺，满足器件设计所需的材料掺杂、叠层等微纳制造要求。

致力于开发开发阻水功能薄膜，提升器件可靠性；
涉及领域包括OLED、Mini-LED、Mirco-LED等光电显示领域；
利用器件级薄膜封装（TFE），代替传统PCB封装，有效阻隔水汽和氧气等的侵蚀，解决其对发光材料等有机功能层的损伤问题，延缓器件的老化和失效，保障器件性能稳定性，延长发光器件的使用寿命，并可进一步实现柔性材料的封装效果；
如下图所示，实现量产WVTR（Water Vapor Transmission Rate,即水汽透过率）近10^-4 g/day/m²量级，最佳WVTR表现低至10^-5 g/day/m²量级；

针对柔性基底，致力于开发阻水阻氧层、减反层、增透层、透明导电层、介电层等功能薄膜；
涉及领域包括显示的柔性封装阻水阻氧保护层，新型显示器件的包覆层等；
如下图所示，量产产品WVTR已实现10^-3g/(m².day）量级，如下图所示，实验室最佳WVTR表现低至10^-5g/(m².day）量级。

致力于开发离子导电界面层，人工SEI膜保护膜，锂电池正、负极保护膜，量子点/微球颗粒钝化膜、微纳催化颗粒保护膜等；
涉及领域包括液态、半固态及全固态电解质动力锂电池制造领域，光电器件领域中的量子点包覆、各类微纳催化剂颗粒包覆等；
如下图所示，通过自研设备，已实现多种氧化物工艺在多类纳米尺寸粉体的表面全均匀包覆，并达到改善和增强的可靠性、安全性效果。